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絕緣閘雙極性電晶體模型的建立 - 百度学术

N型通導的IGBT元件,根據其結構可視為MOSFET串接基極寬度很長的pnp-BJT,寄生的npn-BJT和P-Well的基極電阻所組成的等效電路。本論文即由此等效電路再考慮雙極性傳輸 ...

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