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半導體裝置及其形成方法

具有多晶矽閘極電極MOS裝置顯示載子空乏效應，其亦稱作為多晶矽空乏效應(poly ... 介電層48'及接著蝕刻介電層48'的兩個側壁部分，閘極隔離插塞52的寬度減少。

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