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淺談先進電晶體：新一輪晶片製程中，誰勝出？有何發展趨勢？

另一方面，IBM 的2 奈米技術節點提出三層垂直堆疊的stacked nanosheets （圖六c）[5]，其通道寬度為40 奈米、通道高度為5 奈米、閘極長度為12 奈米，並 ...

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