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長晶方法
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一种碳化硅单晶及其PVT长晶方法 - 小豌豆网
本申请涉及一种碳化硅单晶及其PVT长晶方法,属于晶体生长领域。 背景技术. 碳化硅作为一种新型半导体材料,具有高耐压、假损耗、高导热率、低漏电流等 ...
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