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碳化矽長晶

原理 :氫氟酸腐蝕二氧化矽。 。 屆時,4-8英寸碳化矽晶片的年。 而目前已在使用的長晶技術則包含高溫化學氣象沉積法（HTCVD），與高溫昇華法（HTCVT）兩 ...

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