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大直径SiC单晶材料的应用及前景分析 - icspec

目前主流制备碳化硅单晶的方法为物理气相传输法（PVT法），其基本长晶原理如图4所示，将粉末状SiC 料源置于石墨坩埚底部，通过感应线圈利用集肤效应加热坩埚， ...

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