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高密度铁电存储器器件中导电域壁的PFM/CAFM研究 - Bruker

本工作中所述极化的非破坏性读出是基于高传导域墙的临时形成。只有在应用大于域强制字段的短时间读取场时，才出现电导率。这种临时效应消除了移动缺陷的积累，提高了设备的 ...

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