矽的熔點(1414°C)高於鍺的熔點(938.5°C),這將使得在矽晶圓上所製作的元件製程可承受較高的溫度。 3.矽的能隙(Energy Gap, Eg)為1.12eV高於鍺的能隙(0.66eV), ...
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