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鍺的能隙
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直接能隙與間接能隙差異 - Makalp
和第二代半導體材料砷化鎵(GaAs),稱為間接能隙。 鍺直接能隙,傳導電子可直接由傳導帶落入價電帶。復合時所釋放之能量可能為光或熱,還包括與晶格的交互作用。導電帶能量 ...
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「鍺的能隙」
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