完全無法發揮高吸收率的優勢。同樣放棄超薄設計與CISe,改以非晶矽鍺合金. (a-SiGe)彌合CGSe 與N 型單晶矽的能隙,CGSe+a-SiGe+n-cSi 元件可在150μm.
確定! 回上一頁