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鍺的能隙
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PVE-3.1 能隙Band Gap - 人人焦點
近日,天津大學封偉教授團隊在半導體二維原子晶體的可控制備和帶隙調控研究上取得重要突破:在理論計算和結構設計的基礎上,採用-H/-OH封端二元鍺矽烯,首次獲得了具有帶隙 ...
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「鍺的能隙」
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