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半導體材料掀革命10nm製程改用鍺/III-V元素 - 新電子雜誌

其中，鍺(Ge)和三五族(III-V)元素可有效改善電晶體通道的電子遷移率，提升晶片效能與省電效益，已被視為產業明日之星。應用材料半導體事業群Epitaxy KPU ...

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