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第三章多孔矽蝕刻實驗方法與設備

進行蝕刻，產生多孔矽結構再進行電鍍銀製程。 ... 接下來浸泡1:100 氫氟酸和去離子水混和液中，浸泡約一分鐘，用以 ... 外流，所配置蝕刻液為HF（ 濃度為55wt.

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