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TWI610366B - 鈷金屬障壁層

具有大約3至大約2.7的介電常數之低k薄膜為目前半導體製造製程之典型材料。積體電路裝置結構之生產通常亦包含將二氧化矽(SiO 2)薄膜或層、或敷蓋層放在低k(低介電 ...

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