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哥倫布計畫：半導體-絕緣層-金屬接面之無須摻雜電晶體

為了要簡化元件製造和消除離子佈值所導致的副作用，金屬的源/汲極蕭基能障[2]和無摻雜元件[3]-[7]因此而被提出。然而，在金屬-半導體接面源/汲極上寄生的費米能階釘札 ...

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