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第二章 感應耦合電漿蝕刻與AlGaN/GaN HEMT

本章我們將介紹氮化鎵之基本材料性質、閘極掘入工作原理與電漿蝕刻基. 本原理。 2.1 材料特性比較 ... 當金屬與寬能隙半導體緊密接觸時，為達穩態平衡，在金屬接面下.

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