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金屬蝕刻原理
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RCA clean 製程 - 弘塑科技股份有限公司
半導體晶圓製程中有五大污染物:微粒、金屬不純物、有機污染物、自然生成氧化層及晶 ... 及醋酸(CH3COOH)三種成份之混合溶液來蝕刻矽,其製程原理包含二道反應步驟:
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「金屬蝕刻原理」
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金屬蝕刻液