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现代电力电子器件及其应用 - 第 188 頁 - Google 圖書結果

... 通过对单晶硅直接进行离子注入技术,合理地控制掺杂浓度,制造出一种高速、低拖尾 ... + 发射区金属化、钝化等不需要 PT - IGBT 单晶 P * (极低电阻率)厚几百微米(这 ...

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