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金屬氧化物電阻式記憶體之軟崩潰機制研究與元件特性改善

實驗上得出金屬和氧的電負度差值越小，阻絲生成的電場就越小，然而也發現造成電阻式記憶體在阻絲生成過程中會有漏電流的主要原因和金屬氧化物的自身金屬功函數以及電子 ...

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