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金屬功函數
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http://ir.lib.pccu.edu.tw/ir/handle/987654321/24420?locale=zh-TW&layout.style=mobile
文化大學機構典藏CCUR
採用金屬閘極,在傳統的CMOS 技術,構成新的挑戰。據報導,金屬氮化物材料是熱穩定和p 型或基於鉿的高電介質(HK)midgap 金屬的有效功函數(eWF)。
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