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基于Ag-In-Zn-S量子点的低功耗忆阻器及其制备方法

本发明公开了一种基于Ag‑In‑Zn‑S量子点的低功耗忆阻器，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、介质层和顶电极；所述介质层为由Ag‑In‑Zn‑S量子点制成的材料膜； ...

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