這個元件的蝕刻製程步驟如下:將元件浸在10度C稀硫酸與雙氧水溶液清洗。利用光蝕刻及鍍上200 nm厚的AuGeNi,並將試片置於氫氣保護中430度退火60秒,讓AuGeNi合金 ...
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