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集成电路可靠性评价技术

形成是避免电迁移失效的重要因素[2], 一些可靠性. 试验结果列举于表1 中[3]: 当器件的沟道长度逐渐变小时， 由于电压不能. 够随比例下降，沟道中的电场强度会上升, ...

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