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CN1338772A - 降低电致迁移现象的方法 - Google Patents

本发明提供一种降低一半导体晶片上的金属导线电致迁移现象的方法。 ... Iayer)26，用来于后续的离子注入制作工艺中避免发生隧穿(channeling)效应的情况，而且可以防止 ...

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