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退火温度和Ga含量对溶液法制备InGaZnO薄膜晶体管性能的影响

退火温度 的升高会导致薄膜晶体管阈值电压的负向漂移, 并且饱和迁移率和电流开关比增大. X射线光电子能谱测量表明, 随退火温度的增加, InGaZnO薄膜表面吸附氧减少, ...

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