你即將離開本站

並前往https://www.materialsnet.com.tw/DocView.aspx?id=6693

高溫快速熱退火技術於AM-OLED TFT-Array 之應用 - 材料世界網

ELA原理先利用PECVD方式沉積低氫含量a-Si薄膜，再以400℃~500℃溫度作去氫動作，去氫完成後以準分子雷射為主要動力能量，利用瞬間雷射脈波產生的高能量入射 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「退火溫度」的人也找了：

  1. 退火目的
    2.
  2. 退火原理
    3.
  3. 銅退火溫度
    4.
  4. 退火三階段
    5.
  5. 退火硬度
    6.
  6. 製程退火
    7.
  7. 製程退火目的
    8.
  8. 半導體退火原理
    9.