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以IGZO為基礎之無電容DRAM單元 - 電子工程專輯

當IGZO層的厚度縮小到5奈米，甚至可以省略氧化層隧道和氧氣環境退火步驟，進一步簡化整合方法。 由A. Belmonte等人在2021年IEDM發表、題為「對無電容DRAM ...

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