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CN106298471A - 碳化硅半导体器件的退火方法 - Google Patents

根据本发明的退火方法，利用化学气相沉积法，在碳化硅晶片表面形成致密碳膜， ... 相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术 ...

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