你即將離開本站

並前往http://ep.ltivs.eportfolio.cc/c/document_library/get_file?p_l_id=417202&folderId=417419&name=DLFE-6886.doc

半導體特性

材料少數載子受到加速和空乏區內之原子發生碰撞而產生新的電子電洞對，循環累增的結果。 6V以上, 低摻雜, 正. 稽納崩潰, 電場作用造成。 因材料摻雜濃度較高因此空乏 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「載子濃度」的人也找了：

  1. 載子濃度公式
    2.
  2. 載子濃度定義
    3.
  3. 載子濃度單位
    4.
  4. 載子濃度英文
    5.
  5. 本質載子濃度
    6.
  6. 霍爾效應載子濃度
    7.
  7. 載子濃度溫度
    8.
  8. 載子生命週期
    9.