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以霍爾效應量測法對氮化鎵半導體作電性分析 - 國立中山大學

最後，再說明霍爾效應由. Lorentz force 所推導出的結果，包括霍爾係數(Hall coefficient , RH)、. 電子遷移率(mobility , µ)和載子濃度(carrier density , n)。以霍爾效應 ...

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