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第三代半導體明日之星—碳化矽功率元件近況與展望

SiC有250種結晶型態，其中的4H-SiC已經確定是最適合製作高功率半導體元件的結晶相。4H-SiC的能隙是3.25eV，即使在300℃，本質載子濃度仍低於室溫下 ...

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