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CN102830260B - 半导体量子阱中载流子浓度的测量方法

本发明公开了一种获取半导体量子阱中载流子浓度的方法，包括步骤：使用扫描探针 ... 和热辅助隧穿效应引起的等效肖特基势垒降低，肖特基接触电流密度由以下公式描述：.

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