你即將離開本站

並前往http://eportfolio.lib.ksu.edu.tw/user/4/9/4980K014/repository/%E9%9B%BB%E5%AD%90%E5%AD%B8%E8%88%87%E5%AF%A6%E7%BF%92(%E4%BA%8C)/%E9%9B%BB3.pdf

第1 章半導體材料與特性講義與作業Example 1.1：

其中， B 為常數，與特定之半導體材導有關. Eg 與溫度之關係不重 k 為Boltzmann 常數=86×10-6 eV/°K. Example 1.1：. T=300 °K 求矽之本質載子濃度. 解：代入公式即可.

確定！ 回上一頁

查詢 「載子濃度公式」的人也找了：

  1. 載子濃度定義
    2.
  2. 本質濃度ni
    3.
  3. 本質載子濃度溫度
    4.
  4. 霍爾效應載子濃度
    5.
  5. 電子遷移率公式推導
    6.
  6. 半導體載子濃度
    7.
  7. 本質載子濃度
    8.
  8. 載子濃度單位
    9.