4吋廠600~1200V SiC SBD/MOSFET已量產。 ... SiC晶圓薄化可達100微米。 因應5G、電動車應用帶動功率半導體需求,研發WBG寬能隙材料的GaN氮化鎵、SiC碳化矽製程,漢磊旗下三座 ...
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