由於砷化鎵的能帶間隙(Eg=1.42ev)較矽的(Eg = 1.12ev)為寬,它的本質載子濃度甚低(約為1.8×106cm-3),所以若費米能階(Fermi Level)非常接近其能帶間隙中間時它的導電性甚差 ...
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