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新世代高速鐵電型記憶體製程整合技術開發 - 國立臺灣師範大學

此混合型鐵電記憶體不僅在製程上與FinFET製程整合性高，也同時具有<60 mV/dec的次臨界擺幅特性、以及極低的關閉電流(~1016A/ m)，未來也有相當高的潛力應用於3D NAND ...

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