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記憶體製程邏輯製程
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一雪漏電、發熱前恥三星3nm、4nm製程大幅升級換代PK台積電
三星SF3即3nm GAP製程,作為改良版的第二代,號稱較SF4(4nm EUV LPP)於相同功耗下效能提升22%、邏輯面積縮小21%、相同電晶體與時脈下能效高34%。
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