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非揮發性的磁性記憶體

新一. 代MRAM 的基本構造─磁穿隧接面(Magnetic. Tunneling Junction, MTJ) 利用電子自旋與磁矩的各. 種交互作用原理，使整個元件結構具有明顯電阻變. 化，使得MRAM 的研發 ...

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