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複晶矽薄膜電晶體關鍵製程技術之研究

首先，我們使用離子披覆(Ion Plating) 的方法在室溫下沈積優良的二氧化矽膜作為閘極絕緣層。藉由橢圓測厚儀、霍氏轉換紅外光譜儀及蝕刻率的量測，可發現在室溫下沈積的離子 ...

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