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低差排密度氮化鎵（GaN）之生長方法 - Google Patents

由於差排的線能量亦取決於其特性，故最低且在邊緣90°處彎折的螺旋能量最終可產生螺旋差排， ... 在此些被定義為ULO的生長條件中，3D島狀結構隨著生長進行而持續維持。

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