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半導體製程設備技術 - 第 230 頁 - Google 圖書結果

(2)離子蝕刻選擇性:各種材料利用物理濺射蝕刻皆有其所需的離子能量臨界 ... 離子入射角度與蝕刻速率關係圖及光阻受濺射效應所產生的表面蝕刻輪廓蝕刻選擇比(Etch ...

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