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矽深蝕刻(Si DRIE)系統RIE-800iPB｜Samco Inc.

蝕刻 速率高(~50 μm/min), 垂直性佳, 深寬比高且領先業界的高選擇比(over 100:1). 特色. 大於50以上的高長寬比加工. 獨特的電漿源和反應腔體構造可在維持垂直蝕刻形狀 ...

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