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選擇比研究與SC1溶液對氮化鈦溼蝕刻速率研究

在本篇論文中，由電漿輔助化學汽相沉積系統成長的SixNy與用濺鍍系統成長的TiN經由感應式耦合電漿反應性離子蝕刻系統進行乾蝕刻，試圖找出使SixNy對TiN有高選擇比的蝕刻 ...

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