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蝕刻選擇性
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乾蝕刻技術 - 微奈米光機電系統實驗室
活性離子蝕刻. 兼具物理與化學. 可控制蝕刻之非等向性. 選擇性適中. 化學反應, 速度快. 等向性蝕刻. 選擇性較高. 表面較少破壞. 高激發能量. 電漿蝕刻.
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