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蝕刻選擇性
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CN1914710A - 在基片处理过程中选择性蚀刻氮化硅的系统和方法
一种能够在氧化硅的存在下选择性地蚀刻氮化硅,从而在稳定氧化硅蚀刻速率的同时提供高选择性的系统(图5)和方法。本发明包括处理室(10),分配管道(20,21,22), ...
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「蝕刻選擇性」
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