你即將離開本站

並前往https://www.airitilibrary.com/Publication/alDetailedMesh?docid=03796906-200112-33-4-239-246-a

以感應耦合電漿二階段深度蝕刻氮化鎵

而活性離子束蝕刻(reactive ion beam etching)正符合上述要求，其以離子源之物理性作用，進而控制其化學性蝕刻，具有解析能力高、選擇性良好、蝕刻速率快、反映參數可 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「蝕刻選擇性」的人也找了：

  1. 蝕刻選擇性意思
    2.
  2. 乾式蝕刻
    3.
  3. 蝕刻是什麼
    4.
  4. 蝕刻製程ppt
    5.
  5. 濕式蝕刻原理
    6.
  6. 非等向性蝕刻
    7.
  7. 乾蝕刻氣體
    8.
  8. 乾蝕刻種類
    9.