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發明專利說明書

高選擇性。此外,蝕刻劑較佳蝕刻結構使得垂直輪廓為筆直的而不彎曲。 3D NAND 堆疊可包括其他含矽層。 【0004】 傳統上,使用自氣體源(諸如含氫、氧或氟之氣體)生成活.

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