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電子物理學研究所碩士論文 - 國立交通大學

經過所有的蝕刻製程已經清洗過程(丙酮、異丙醇、純水洗去PMMA以. 及BOE、純水去二氧化矽)，我們方可確認最後的氮化鎵孔洞深度。 整理如下：. 參數. 最佳深度. SiO2/GaN蝕刻 ...

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