合電漿離子蝕刻製程(以下簡稱ICP-RIE) 技術被發. 展出來,知名的Bosch 製程 ... 近年來已發展出深寬比達30 以上、垂直度在90±1 度以內之矽基材離子深蝕刻製程技術,.
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