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新電子 12月號/2020 第417期 - 第 21 頁 - Google 圖書結果

「氮化鎵元件的蝕刻製程必須小心翼翼,以免對元件結構造成損傷。 ... 認為,SiC 蝕刻最具挑戰性的地方在於如何加快蝕刻的速度,以及加工的終點偵測(Endpoint Detection)。

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